纳米晶体共模堵塞
高衰减紧凑设计
共模堵塞(cmc)基于纳米晶体VITROPERM®提供最高衰减紧凑设计EMI的广泛需求。标准的广泛投资组合类型为好和三相应用提供解决方案以及4倍cmc。
好处:
- 规模小,衰减由于高渗透性和高饱和磁化
- 广泛的标准组合
- 平的温度特性
- 高电流或电压的解决方案可用
工业级cmc的特色
- UL1446-compliant设计基于真空吸尘器的B级绝缘系统(文金宝搏188下载地址件号E329745)
- 操作温度高达130°C
为广泛的应用程序而设计的:
- 开关电源(smp)
- 太阳能逆变器
- 变频器
- 焊接设备
- 风力发电机
- 不间断电源(UPS)
汽车级cmc的特殊特征
- 环境温度:-40°C < T一个< + 115°C
- Max。短期操作温度(T)人事处= 160°C
- 额定绝缘电压:U我= 525 Vrms(功能绝缘、污染程度1)
- 根据AEC-Q200汽车合格
- 设计考虑‚技术清洁的acc。VDA 19第2部分
- 为直流/直流转换器开发混合动力和电动汽车
一般特征
应用优势 |
技术背景 |
|---|---|
| 小尺寸 | µ高、B年代 |
| 适合大电流 和/或高电压 |
µ高、B年代,优化核心设计 |
| 单级过滤conpects成为可能 | 极端的宽带衰减行为, 高磁导率、低电容的设计, 向更高频率µ缓慢下降, 低品质因数在150千赫范围内 |
| 效率高、损耗低的损失 | 低数量的绕组所必需的高L,减少过滤阶段 |
| 适用于高、低环境温度和高操作温度 | 高居里温度,材料特性 (BSµλS)几乎独立的温度 |
| 简化了滤波器设计 | 材料属性(µ,BS,λS)几乎独立于温度、恒定阻抗在宽共模电流范围由于线性磁化曲线 |
优越的EMC滤波器和共模电感的设计
纳米晶体核广泛应用于共模扼流圈(CMC)磁性的应用由于其独特的组合。利用低成本的原材料(Fe-based)和现代,大规模188bet亚洲体育真人投注生产,VITROPERM是一个竞争非常激烈的广泛应用的解决方案。
我们高衰减cmc特性是保持在宽频率范围内提供极其宽带衰减。在许多情况下,这种特性可以减少数量的多级过滤阶段EMC滤波器配置来降低复杂性,成本和滤波器体积。铜的损失也降低,从而增加效率和降低组件温度。
我们有广泛的实践和理论经验cmc和过滤器配置设计中使用纳米晶体核和组件。在更高的频率,绕组配置主要影响绕组电容和漏电感的参数,因此仔细考虑在我们窒息的设计。
设计优势与VITROPERM
优越的材料特性的纳米晶体VITROPERM使共模堵塞高电感/阻抗,即使是少量的,导致铜损失,减少低绕组电容和高频性能好。由于高初始磁导率,低绕组电容和低品质因数,VITROPERM cmc提供宽带插入损耗曲线从10 kHz到几兆赫和改进的衰减行为在低和高的频率。更好的衰减属性和一个扩展的操作温度范围内允许减少组件的体积可达3倍或更多类似的条件下。的优秀衰减VITROPERM cmc简化了滤波器设计的宽频率范围。
工业级cmc的特色
- UL1446-compliant设计基于真空吸尘器的B级绝缘系统(文金宝搏188下载地址件号E329745)
- 操作温度高达130°C
为广泛的应用程序而设计的:
- 开关电源(smp)
- 太阳能逆变器
- 变频器
- 焊接设备
- 风力发电机
- 不间断电源(UPS)
汽车级cmc的特殊特征
- 环境温度:-40°C < T一个< + 115°C
- Max。短期操作温度(T)人事处= 160°C
- 额定绝缘电压:U我= 525 Vrms(功能绝缘、污染程度1)
- 根据AEC-Q200汽车合格
- 设计考虑‚技术清洁的acc。VDA 19第2部分
- 为直流/直流转换器开发混合动力和电动汽车
一般特征
应用优势 |
技术背景 |
|---|---|
| 小尺寸 | µ高、B年代 |
| 适合大电流 和/或高电压 |
µ高、B年代,优化核心设计 |
| 单级过滤conpects成为可能 | 极端的宽带衰减行为, 高磁导率、低电容的设计, 向更高频率µ缓慢下降, 低品质因数在150千赫范围内 |
| 效率高、损耗低的损失 | 低数量的绕组所必需的高L,减少过滤阶段 |
| 适用于高、低环境温度和高操作温度 | 高居里温度,材料特性 (BSµλS)几乎独立的温度 |
| 简化了滤波器设计 | 材料属性(µ,BS,λS)几乎独立于温度、恒定阻抗在宽共模电流范围由于线性磁化曲线 |
优越的EMC滤波器和共模电感的设计
纳米晶体核广泛应用于共模扼流圈(CMC)磁性的应用由于其独特的组合。利用低成本的原材料(Fe-based)和现代,大规模188bet亚洲体育真人投注生产,VITROPERM是一个竞争非常激烈的广泛应用的解决方案。
我们高衰减cmc特性是保持在宽频率范围内提供极其宽带衰减。在许多情况下,这种特性可以减少数量的多级过滤阶段EMC滤波器配置来降低复杂性,成本和滤波器体积。铜的损失也降低,从而增加效率和降低组件温度。
我们有广泛的实践和理论经验cmc和过滤器配置设计中使用纳米晶体核和组件。在更高的频率,绕组配置主要影响绕组电容和漏电感的参数,因此仔细考虑在我们窒息的设计。
设计优势与VITROPERM
优越的材料特性的纳米晶体VITROPERM使共模堵塞高电感/阻抗,即使是少量的,导致铜损失,减少低绕组电容和高频性能好。由于高初始磁导率,低绕组电容和低品质因数,VITROPERM cmc提供宽带插入损耗曲线从10 kHz到几兆赫和改进的衰减行为在低和高的频率。更好的衰减属性和一个扩展的操作温度范围内允许减少组件的体积可达3倍或更多类似的条件下。的优秀衰减VITROPERM cmc简化了滤波器设计的宽频率范围。
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纳米晶体材料VITROPERM®
VITROPERM与一个优秀的组合是一种铁基纳米晶体材料的软磁特性,这使得它最先进的材料广泛的应用,如共模扼流圈(cmc),电流互感器(CTs), EMI过滤器和屏蔽材料在无线电力传输。
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