有效减少电磁干扰(EMI)

在使用SiC/GaN半导体的下一代应用中

下一代硬件开发通常依赖于SiC或GaN半导体,利用其更高的开关频率和更低的损耗作为应用层面的主要优势。虽然减少体积和提高效率是受欢迎的,但过度的电磁干扰(EMI)需要解决。

为了处理SiC或GaN半导体应用中的过高噪声水平,VAC开发了新的EMI缓解解决方案。金宝搏188下载地址我们的白皮书揭示了保持应用程序可靠地免受EMI影响并实现最高性能的多种机会。

充分利用你的应用程序高级半导体需要高级电磁干扰缓解

VITROPERM白皮书可用注册后可收到《宽频带隙半导体应用中的电磁干扰缓解白皮书》

宽带隙半导体,如SiC, GaN和Ga2O3,由于其特殊的物理性质,在电力电子领域具有特殊的优势,并为无源lc滤波器的效率优化提供了指导。

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